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苏州硅能半导体,辽源场效应管,常用场效应管

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  • 产品特性

(5)在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。

(6)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例,该管子加装140×140×4(mm)的散热器后,zui大功率才能达到30W。

(7)多管并联后,由于极间电容和分布电容相应增加,使放大器的高频特性变坏,通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此,并联复合管管子一般不超过4个,而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。



中国命名法

有两种命名方法。

场效应管通常有下列两种命名方法。

第1种命名方法是使用“中国半导体器件型号命名法”的第3、第4和第5部分来命名,其中的第3部分用字母CS表示场效应管,第4部分用阿拉伯数字表示器件序号,第5部分用汉语拼音字母表示规格号。例如CS2B、CS14A、CS45G等。

第2种命名方法与双极型三极管相同,第1位用数字表电极数;第二位用字母表极性(其中D是N沟道,C是P沟道);第三位用字母表类型(其中J表结型场效应管,O表绝缘栅场效应管)。例如,3DJ6D是N沟道结型场效应三极管,3D06C是N沟道绝缘栅型场效应三极管。



也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是P沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

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